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一、導(dǎo)語本文將為您揭示mos管（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的三個(gè)極：源極、漏極和柵極，以及它們?cè)陔娐穲D中的重要角色。我們將探討mos管的設(shè)計(jì)創(chuàng)新，如何通過優(yōu)化這三個(gè)極的配置，實(shí)現(xiàn)更高效、更可靠的電子設(shè)備。二、mos管的三個(gè)極：源極、漏極和柵極源極...
振邦微科技 2024-02-26 電路相關(guān) 265 ℃ 2 評(píng)論 查看詳細(xì)
MOS管的三個(gè)極分別是什么？G（柵極），D（漏極）s（源及），要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值，漏極和源及才能導(dǎo)通...
振邦微科技 2023-05-16 芯片常識(shí) 149 ℃ 3 評(píng)論 查看詳細(xì)
誰能幫我看看電路圖上場效應(yīng)管的三個(gè)引腳分別是什么？很簡單的問題。場效應(yīng)管與普通三孫漏侍極管功能一樣，三個(gè)電極對(duì)應(yīng)為：發(fā)射機(jī)---源極S，基極--柵極G，集電極--漏極D。IRF640管腳排列為（管腳朝下、面對(duì)型號(hào)）左起1腳為G，2腳為D，3腳為S。從門極向漏...
振邦微科技 2023-04-25 芯片常識(shí) 416 ℃ 1 評(píng)論 查看詳細(xì)